Šiame straipsnyje mes bandome suprasti Ohmo dėsnį ir Kirchhoffo dėsnį naudodamiesi standartinėmis inžinerinėmis formulėmis ir paaiškinimais bei taikydami tiesinę pirmos eilės diferencialinę lygtį sprendžiant problemų rinkinių pavyzdžius.
Šiame skyriuje mes analizuosime BJT bendrosios bazės konfigūraciją ir sužinosime apie jos važiavimo taško charakteristikas, atvirkštinio prisotinimo srovę, pagrindo ir spinduolio įtampą bei įvertinsime parametrus
Lauko tranzistorius (FET) yra elektroninis įtaisas, kuriame elektrinis laukas naudojamas srovės srautui reguliuoti. Norėdami tai įgyvendinti, galimas skirtumas taikomas visoje
Darlingtono tranzistorius yra gerai žinomas ir populiarus ryšys, naudojant porą bipolinių tranzistorių jungties tranzistorių (BJT), sukurtų veikti kaip vieningas „superbeta“ tranzistorius. Ši schema parodo
Visa informacija apie bipolinio tranzistoriaus ar BJT tinklo nuolatinės srovės įtempimo procedūras ir skaičiavimus aptariama šiame skyriuje
Skaitmeninis-analoginis keitiklis (DAC, D / A, D2A arba D-to-A) yra grandinė, skirta skaitmeniniam įvesties signalui paversti analoginiu išėjimo signalu. Analoginis-skaitmeninis keitiklis (ADC) veikia priešingai ir transformuoja analoginį įvesties signalą į a
Transistoruose perdavimo charakteristikas galima suprasti kaip išvesties srovės braižymą atsižvelgiant į įvesties kontrolinį dydį, kuris rodo tiesioginį kintamųjų „perdavimą“ iš įėjimo į išvestį
Bipoliniuose jungiamuosiuose tranzistoriuose koeficientas, nustatantis prietaiso jautrumo bazinei srovei lygį, o amplifikacijos lygis jo kolektoriuje vadinamas beta arba hFE.
Ši konfigūracija yra žinoma kaip įprasto emiterio konfigūracija, nes čia emiteris naudojamas kaip bendras neigiamas įėjimo bazinio signalo ir išėjimo apkrovos terminalas. Kitaip tariant,
Šiame įraše paaiškinama bipolinio sandūros tranzistoriaus, kuris išrado tranzistorių, istorija, jo vidinė konstrukcijos struktūra ir eksploatavimo detalės.
Bipolinio tranzistoriaus gnybtų įtempimas naudojant apskaičiuotą varžos skirstytuvo tinklą, siekiant užtikrinti optimalų našumą ir perjungimo atsaką, vadinamas įtampos daliklio šališkumu. Ankstesniame šališkume
Įrašo išsami informacija apie tai, kaip suprojektuoti spinduolio stabilizuotą šališkumo grandinę su BJT, naudojant lygtis ir vertinimų pavyzdžius
Sužinokite, kas yra apkrovos linijos analizė ir kaip ją įgyvendinti naudojant praktinę grandinę ir atlikdami grafinę analizę.
Šiame pranešime mes sužinome, kas yra BJT prisotinimas, ir aptariame įvairius bipolinio tranzistoriaus prisotinimo srovės lygio nustatymo metodus
Tunelio diodas yra puslaidininkio diodo tipas, kuriam būdingas neigiamas atsparumas dėl kvantinio mechaninio poveikio, vadinamo tuneliu. Šiame įraše mes sužinosime
Varaktoriaus diodas, dar vadinamas varicap, VVC (kintamos įtampos arba derinimo diodas, yra puslaidininkio diodo tipas, kurio p-n sankryžoje kintama nuo įtampos priklausanti talpa
Elektronikoje ištaisymas yra procesas, kurio metu lygintuvo diodas keičia kintamą viso ciklo kintamosios srovės įėjimo signalą į pusės ciklo nuolatinės srovės išėjimo signalą. Gaminamas vienas diodas
Nors tranzistoriai (BJT) populiariai naudojami stiprintuvų grandinėms gaminti, juos taip pat galima efektyviai naudoti perjungiant programas. Transistoriaus jungiklis yra grandinė, kurioje kolektorius
Šis įrašas padės jums suprasti keletą svarbiausių palyginamųjų parametrų ar specifikacijų, kurie paprastai randami palyginamųjų IC duomenų lapuose. Kai kurie pagrindiniai parametrai
BJT bendras kolektoriaus stiprintuvas yra grandinė, kurioje kolektorius ir BJT pagrindas turi bendrą įvesties šaltinį, taigi ir bendras kolektorius. Mūsų